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TIP36CW
0.387
TIP36CW 数据手册 (9 页)
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TIP36CW 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-25.0 A
封装
TO-247-3
极性
PNP
功耗
125 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
25A
最小电流放大倍数
10 @15A, 4V
额定功率(Max)
125 W
直流电流增益(hFE)
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
125000 mW

TIP36CW 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

TIP36CW 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

TIP36 数据手册

TI(德州仪器)
Central Semiconductor
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
Microsemi(美高森美)
Advanced Semiconductor
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ST Microelectronics(意法半导体)
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