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TK31J60W5,S1VQ
8.311
TK31J60W5,S1VQ 数据手册 (10 页)
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TK31J60W5,S1VQ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
功耗
230 W
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @300V(Vds)
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

TK31J60W5,S1VQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

TK31J60W5,S1VQ 数据手册

Toshiba(东芝)
10 页 / 0.23 MByte

TK31J60W5S1 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
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