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TK32E12N1,S1X(S
1.007
TK32E12N1,S1X(S 数据手册 (9 页)
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TK32E12N1,S1X(S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
120 V
连续漏极电流(Ids)
60A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @60V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
98 W

TK32E12N1,S1X(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
10.16 mm
宽度
4.45 mm
高度
15.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

TK32E12N1,S1X(S 数据手册

Toshiba(东芝)
9 页 / 0.24 MByte

TK32E12N1S1 数据手册

Toshiba(东芝)
MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
TK32E12N1,S1X 管装
Toshiba(东芝)
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