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TLC2252AQDRG4Q1
器件3D模型
0.445
TLC2252AQDRG4Q1 数据手册 (43 页)
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TLC2252AQDRG4Q1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
≤50 mA
供电电流
80 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
950 mW
共模抑制比
70 dB
输入补偿漂移
500 nV/K
带宽
200 kHz
转换速率
120 mV/μs
增益频宽积
0.2 MHz
输入补偿电压
200 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
0.2 MHz
耗散功率(Max)
950 mW
共模抑制比(Min)
70 dB

TLC2252AQDRG4Q1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLC2252AQDRG4Q1 数据手册

TI(德州仪器)
43 页 / 1.59 MByte

TLC2252AQDRG4 数据手册

TI(德州仪器)
高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
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