器件3D模型

￥ 1.067

TLE2021CDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TLE2021CDR 数据手册 (80 页)

引脚图在4 页 5 页 6 页Hot

封装尺寸在56 页 57 页 58 页 59 页 60 页 61 页 62 页 63 页 66 页 67 页 73 页

TLE2021CDR 数据手册 (80 页)

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TLE2021CDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

≤20 mA

供电电流

240 µA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

725 mW

共模抑制比

85 dB

输入补偿漂移

2.00 µV/K

带宽

1.2 MHz

转换速率

500 mV/μs

增益频宽积

1.2 MHz

输入补偿电压

150 µV

输入偏置电流

25 nA

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

增益带宽

2 MHz

耗散功率(Max)

725 mW

共模抑制比(Min)

85 dB

电源电压(Max)

40 V

电源电压(Min)

4 V

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TLE2021CDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃

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TLE2021CDR 符合标准

TLE2021CDR 数据手册

TI（德州仪器）

80 页 / 2.22 MByte

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