器件3D模型

￥ 3.18

TLE2022CDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS TLE2022CDR 芯片, 运算放大器

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TLE2022CDR 数据手册 (79 页)

引脚图在4 页 5 页 6 页Hot

封装尺寸在56 页 57 页 58 页 59 页 60 页 61 页 62 页 63 页 66 页 67 页 72 页

TLE2022CDR 数据手册 (79 页)

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TLE2022CDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

≤30 mA

供电电流

550 µA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

0.725 W

共模抑制比

85 dB

输入补偿漂移

2.00 µV/K

带宽

1.7 MHz

转换速率

500 mV/μs

增益频宽积

1.7 MHz

输入补偿电压

120 µV

输入偏置电流

35 nA

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

增益带宽

1.7 MHz

耗散功率(Max)

725 mW

共模抑制比(Min)

85 dB

电源电压

4V ~ 40V

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TLE2022CDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

0℃ ~ 70℃

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TLE2022CDR 符合标准

TLE2022CDR 数据手册

TI（德州仪器）

79 页 / 2.14 MByte

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