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Datasheet 搜索 > 地磁传感器 > Infineon(英飞凌) > TLE5009 E2010 Datasheet 文档
TLE5009 E2010
1.117
TLE5009 E2010 数据手册 (32 页)
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TLE5009 E2010 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
PG-DSO-8

TLE5009 E2010 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃

TLE5009 E2010 数据手册

Infineon(英飞凌)
32 页 / 1.95 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.06 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

TLE5009 数据手册

Infineon(英飞凌)
GMR角度传感器, 模拟正弦/余弦电压输出, AEC-Q100,3V-5.5V, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
GMR角度传感器, 模拟输出, AEC-Q100, 3 V至3.6 V, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
GMR角度传感器, 模拟输出, 3 V至3.6 V电源, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
角度传感器, 4.5 V至5.5 V, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
位置传感器 TLE5009A16DE1210XUMA1 SO-16
Infineon(英飞凌)
GMR角度传感器, 模拟输出, AEC-Q100,4.5 V至5.5 V, TSSOP-16
Infineon(英飞凌)
位置传感器 TLE5009A16DE2200XUMA1 SO-16
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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