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TLS850B0TB V50
0.613
TLS850B0TB V50 数据手册
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TLS850B0TB V50 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-263-5
静态电流
20 µA
跌落电压
100 mV
精度
2.0 %

TLS850B0TB V50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

TLS850B0TB V50 数据手册

Infineon(英飞凌)
23 页 / 0.84 MByte

TLS850B0 数据手册

Infineon(英飞凌)
固定LDO稳压器, AEC-Q100, 5.5V至40V, 250mV压降, 5V/500mA输出, TO-263-5
Infineon(英飞凌)
固定LDO稳压器, AEC-Q100, 5.5V至40V, 250mV压降, 5V/500mA输出, TO-252-5
Infineon(英飞凌)
固定LDO稳压器, AEC-Q100, 3V至40V, 300mV压降, 3.3V/500mA输出, TO-263-5
Infineon(英飞凌)
固定LDO稳压器, AEC-Q100, 3V至40V, 300mV压降, 3.3V/500mA输出, TO-252-5
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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