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TLV2314IDGKR
器件3D模型
0.513
TLV2314IDGKR 数据手册 (35 页)
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TLV2314IDGKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
150 µA
电路数
1 Circuit
共模抑制比
72 dB
输入补偿漂移
2.00 µV/K
转换速率
1.50 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
750 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB

TLV2314IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV2314IDGKR 数据手册

TI(德州仪器)
35 页 / 1.5 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.09 MByte

TLV2314 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx314 3MHz、低功耗、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
适用于成本敏感型系统的 2 通道、3MHz、低噪声、RRIO、1.8V CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV2314IDGKT  运算放大器, RRIO, 3 MHz, 2个放大器, 1.5 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放
TI(德州仪器)
AEC-Q100、2 通道、3MHz、低噪声、低电压、RRIO、1.8V CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125
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