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TLV2316IDR
器件3D模型
0.423
TLV2316IDR 数据手册 (35 页)
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TLV2316IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
400 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
72 dB
输入补偿漂移
2.00 µV/K
转换速率
6.00 V/μs
增益频宽积
10 MHz
输入补偿电压
750 µV
输入偏置电流
10 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.8 V

TLV2316IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV2316IDR 数据手册

TI(德州仪器)
35 页 / 1.62 MByte

TLV2316 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx316 10MHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKR  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新
TI(德州仪器)
高速轨到轨输入输出二运放1.8-5.5V抗干扰能力强!
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV2316IDGKT  运算放大器, RRIO, 10 MHz, 2个放大器, 6 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新
TI(德州仪器)
AEC-Q100、2 通道、10MHz、RRIO、低噪声、低电压、1.8V CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
TI(德州仪器)
AEC-Q100、2 通道、10MHz、RRIO、低噪声、低电压、1.8V CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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