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> 放大器、缓冲器 > TI(德州仪器) > TLV2376IDGKR Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 11.986
TLV2376IDGKR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
VSSOP-8
描述:
双路 5.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
Pictures:
3D模型
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TLV2376IDGKR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
815 µA
电路数
2 Circuit
增益频宽积
5.5 MHz
输入补偿电压
40 µV
输入偏置电流
0.3 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
72 dB
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TLV2376IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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TLV2376IDGKR 符合标准
TLV2376IDGKR 概述
●
CMOS 放大器 电路 差分,满摆幅 8-VSSOP
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双路 5.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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TI(德州仪器)
双路 5.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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