器件3D模型

￥ 0.505

TLV272IDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

BiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas Instruments

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TLV272IDR 数据手册 (36 页)

封装尺寸在3 页 17 页 18 页 19 页 22 页 23 页

TLV272IDR 数据手册 (36 页)

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TLV272IDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

7mA @5V

供电电流

625 µA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

功耗

0.396 W

共模抑制比

65 dB

输入补偿漂移

2.00 µV/K

带宽

3 MHz

转换速率

2.10 V/μs

增益频宽积

3 MHz

过温保护

输入补偿电压

500 µV

输入偏置电流

1 pA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

增益带宽

3 MHz

耗散功率(Max)

396 mW

共模抑制比(Min)

65 dB

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TLV272IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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TLV272IDR 符合标准

TLV272IDR 概述

TLV272IDR 数据手册

TI（德州仪器）

36 页 / 1.41 MByte

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