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TLV272IDRG4
器件3D模型
0.241
TLV272IDRG4 数据手册 (36 页)
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TLV272IDRG4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
625 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
0.396 W
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
2.00 µV/K
带宽
3.00 MHz
转换速率
2.10 V/μs
增益频宽积
3 MHz
过温保护
No
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压(Max)
16 V
电源电压(Min)
2.7 V

TLV272IDRG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV272IDRG4 数据手册

TI(德州仪器)
36 页 / 1.41 MByte
TI(德州仪器)
17 页 / 0.59 MByte

TLV272 数据手册

TI(德州仪器)
550uA/通道 3MHz 轨至轨输出运算放大器
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDGKR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.6 V/µs, 2.7V 至 16V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272IDGKR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
低电压 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
5脚封装,低功耗,中速
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