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TLV27L1IDR
器件3D模型
1.169
TLV27L1IDR 数据手册 (22 页)
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TLV27L1IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
0.4mA @2.7V
供电电流
7 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
功耗
710 mW
共模抑制比
71 dB
输入补偿漂移
1.10 µV/K
带宽
160 kHz
转换速率
60.0 mV/μs
增益频宽积
0.16 MHz
输入补偿电压
5 mV
输入偏置电流
0.06 nA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
0.16 MHz
耗散功率(Max)
710 mW
共模抑制比(Min)
71 dB
电源电压(Max)
16 V

TLV27L1IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV27L1IDR 数据手册

TI(德州仪器)
22 页 / 0.8 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.19 MByte

TLV27L1 数据手册

TI(德州仪器)
11uA/通道 160kHz、 RR-Out 运算放大器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDBVR  芯片, 运算放大器, 微功率, 160KHZ, 0.06V/uS, SOT-23-5
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDR  运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV27L1IDBVT  运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOT-23, 5 引脚
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
系列微功耗轨到轨输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
系列微功耗轨到轨输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
11uA/通道、160kHz、轨到轨输出运算放大器 5-SOT-23 -40 to 125
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