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TLV3542IDGKR
器件3D模型
0.868
TLV3542IDGKR 数据手册 (23 页)
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TLV3542IDGKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
5.2 mA
电路数
2 Circuit
共模抑制比
56 dB
增益频宽积
100 MHz
输入补偿电压
2 mV
输入偏置电流
3 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
200 MHz
共模抑制比(Min)
56 dB

TLV3542IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV3542IDGKR 数据手册

TI(德州仪器)
23 页 / 1.31 MByte
TI(德州仪器)
57 页 / 2.06 MByte

TLV3542 数据手册

TI(德州仪器)
TLV354x 250MHz、RRIO、CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
运算放大器, RRIO, 2个放大器, 100 MHz, 150 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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