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器件3D模型
¥ 0.868
TLV3542IDGKR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
放大器、缓冲器
封装:
VSSOP-8
描述:
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
TLV3542IDGKR 数据手册 (23 页)
封装尺寸
在
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TLV3542IDGKR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
5.2 mA
电路数
2 Circuit
共模抑制比
56 dB
增益频宽积
100 MHz
输入补偿电压
2 mV
输入偏置电流
3 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
3dB带宽
200 MHz
共模抑制比(Min)
56 dB
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TLV3542IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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TLV3542IDGKR 符合标准
TLV3542IDGKR 概述
●
CMOS 放大器 2 电路 满摆幅 8-VSSOP
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TI(德州仪器)
TLV354x 250MHz、RRIO、CMOS 运算放大器
TLV3542
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
运算放大器, RRIO, 2个放大器, 100 MHz, 150 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
TLV3542
IDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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