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TLV4333IDR
器件3D模型
2.025
TLV4333IDR 数据手册 (34 页)
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TLV4333IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
SOIC-14
供电电流
17 µA
电路数
1 Circuit
共模抑制比
102 dB
输入补偿漂移
20.0 nV/K
转换速率
160 mV/μs
增益频宽积
350 kHz
输入补偿电压
2 µV
输入偏置电流
70 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
102 dB

TLV4333IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV4333IDR 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 0.87 MByte
TI(德州仪器)
57 页 / 2.06 MByte

TLV4333 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx333 零漂移 CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
TLV4333IDR 编带
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放 350 kHz, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 14-TSSOP -40 to 125
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