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TN0205A-T1
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TN0205A-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
漏源极电阻
2.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 mW
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
250 mA

TN0205A-T1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.06 MByte

TN0205 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道20V的MOSFET N-Channel 20-V MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道20-V MOSFET特点: 低导通电阻:2.0Ω 低门槛:0.9 V(典型值) 开关速度快:35纳秒 2.5 V或更低的操作优点: 易于驾驶开关 低失调电压(错误) 低电压工作 高速电路 低电池电压工作应用..
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道20V的MOSFET N-Channel 20-V MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
TN0205A N沟道MOSFET 20V 250mA/0.25A SOT-23/SC-59 marking/标记 BA 高速开关/低导通电阻
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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