器件3D模型

￥ 1.709

TPS1100D 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TPS1100D 数据手册 (14 页)

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TPS1100D 数据手册 (14 页)

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TPS1100D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-15.0 V

额定电流

-1.60 A

封装

SOIC-8

输出电压

-15.0 V

漏源极电阻

0.18 Ω

极性

P-Channel

功耗

791 mW

漏源极电压(Vds)

15 V

连续漏极电流(Ids)

-1.60 A

上升时间

10 ns

额定功率(Max)

791 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

791mW (Ta)

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TPS1100D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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TPS1100D 符合标准

TPS1100D 海关信息

TPS1100D 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.69 MByte

TPS1100D 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

11 页 / 0.22 MByte

TPS1100D 其他参考文件

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