器件3D模型

￥ 0.704

TPS1100DG4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TPS1100DG4 数据手册 (14 页)

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TPS1100DG4 数据手册 (14 页)

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TPS1100DG4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

P-Channel

功耗

791 mW

漏源极电压(Vds)

15 V

连续漏极电流(Ids)

1.6A

上升时间

10 ns

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

791mW (Ta)

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TPS1100DG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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TPS1100DG4 符合标准

TPS1100DG4 数据手册

TI（德州仪器）

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