器件3D模型

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TPS1100PWG4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TSSOP-8

描述:

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TPS1100PWG4 数据手册 (13 页)

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TPS1100PWG4 数据手册 (13 页)

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TPS1100PWG4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSSOP-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

180 mΩ

极性

P-Channel

功耗

504 mW

漏源极电压(Vds)

-15.0 V

漏源击穿电压

15 V

连续漏极电流(Ids)

1.27A

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

504 mW

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TPS1100PWG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

4.4 mm

宽度

3 mm

高度

1.2 mm

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TPS1100PWG4 符合标准

TPS1100PWG4 数据手册

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