Web Analytics
Datasheet 搜索 > 电源管理 > TI(德州仪器) > TPS2811PWG4 Datasheet 文档
TPS2811PWG4
器件3D模型
0.955
TPS2811PWG4 数据手册 (40 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TPS2811PWG4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
TSSOP-8
上升/下降时间
14ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电流
2 A
功耗
520 mW
上升时间
14 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
520 mW
电源电压
4V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
4 V

TPS2811PWG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

TPS2811PWG4 数据手册

TI(德州仪器)
40 页 / 1.69 MByte

TPS2811 数据手册

TI(德州仪器)
具有内部稳压器的反向双路高速 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
双高速MOSFET驱动器 DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVER
TI(德州仪器)
双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
TI(德州仪器)
MOSFET驱动器
TI(德州仪器)
双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS2811D  双路驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
TI(德州仪器)
双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
TI(德州仪器)
双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: TPS2811 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z