器件3D模型

￥ 1.044

TPS2814DR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TPS2814DR 数据手册 (40 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在28 页 29 页 30 页 32 页 33 页 35 页

TPS2814DR 数据手册 (40 页)

查看文档

或点击图片查看大图

TPS2814DR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

4.00V (min)

封装

SOIC-8

上升/下降时间

14ns, 15ns

输出接口数

2 Output

输出电流

2 A

功耗

730 mW

上升时间

14 ns

下降时间

15 ns

下降时间(Max)

35 ns

上升时间(Max)

35 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

730 mW

电源电压

4V ~ 14V

电源电压(Max)

14 V

电源电压(Min)

4 V

查看数据手册 >

TPS2814DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

查看数据手册 >

TPS2814DR 符合标准

TPS2814DR 概述

TPS2814DR 数据手册

TI（德州仪器）

40 页 / 1.69 MByte

TPS2814 数据手册

TI（德州仪器）

1 反向 1 同向与双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2814DR 数据手册

TI（德州仪器）

2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反

TPS2814D 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS TPS2814D 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 24ns延迟, SOIC-8

TPS2814PWR 数据手册

TI（德州仪器）

2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反

TPS2814P 数据手册

TI（德州仪器）

MOSFET 和 IGBT 驱动器，高达 2.5A，Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments

TPS2814PW 数据手册

TI（德州仪器）

2输入AND高速MOSFET驱动器,一路同相,一路反相

TPS2814DRG4 数据手册

TI（德州仪器）

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TPS2814DG4 数据手册

TI（德州仪器）

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TPS2814PWG4 数据手册

TI（德州仪器）

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

TPS2814PWRG4 数据手册

TI（德州仪器）

双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号