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TPS51100DGQ
0.617
TPS51100DGQ 数据手册 (27 页)
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TPS51100DGQ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
10 Pin
封装
PowerPad-MSOP-10
额定功率
1.73 W
输出接口数
1 Output
输入电压(DC)
5.25V (max)
输出电压
1.25 V
输出电流
3 A
针脚数
10 Position
输入电流
500 µA
功耗
1.73 W
静态电流
500 µA
输出电容类型
Ceramic
调节输出数
1 Output
输入电压(Max)
4.75 V
输入电压(Min)
5.25 V
输出电流(Max)
3 A
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1730 mW
电源电压(Max)
5.25 V
电源电压(Min)
4.75 V
输入电压
4.75V ~ 5.25V

TPS51100DGQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TPS51100DGQ 数据手册

TI(德州仪器)
27 页 / 1.45 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 0.54 MByte

TPS51100 数据手册

TI(德州仪器)
3A 输出驱动/吸入电流 DDR 终端稳压器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51100DGQR  稳压器, 固定LDO, 5.25V至4.75V输入, 1.25V/3A输出, MSOP-10
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51100DGQ  稳压器, 固定LDO, 5.25V至4.75V输入, 1.25V/3A输出, MSOP-10
TI(德州仪器)
3 -A SINK / SOURCE DDR终端稳压器 3-A SINK/SOURCE DDR TERMINATION REGULATOR
TI(德州仪器)
3 -A SINK / SOURCE DDR终端稳压器 3-A SINK/SOURCE DDR TERMINATION REGULATOR
TI(德州仪器)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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