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器件3D模型
¥ 2.882
TPS51116RGET 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
稳压芯片
封装:
VQFN-24
描述:
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116RGET 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, VQFN-24
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
TPS51116RGET 数据手册 (45 页)
封装尺寸
在
35 页
37 页
38 页
原理图
在
10 页
11 页
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TPS51116RGET 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
24 Pin
封装
VQFN-24
输出接口数
1 Output
输出电压
2.5 V
输出电流
25 A
针脚数
24 Position
功耗
2200 mW
静态电流
800 µA
调节输出数
1 Output
过温保护
Yes
拓扑结构
Buck
输入电压(Max)
28 V
输入电压(Min)
3 V
输出电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2200 mW
电源电压
3V ~ 28V
输入电压
3V ~ 28V
查看数据手册 >
TPS51116RGET 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4 mm
宽度
4 mm
高度
0.88 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
TPS51116RGET 符合标准
TPS51116RGET 海关信息
TPS51116RGET 概述
●
DDR 存储器终端调节器,Texas Instruments
●
专门设计用于 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接。这些汇电流/源电流跟踪终端调节器旨在用于节省空间的低成本应用,具有低外部部件计数。
●
### DDR 存储器电源解决方案,Texas Instruments
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TPS51116RGET
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RGER
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DDR/DDR2/DDR3的同步降压控制器和LDO
TPS51116
RGET
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116RGET 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, VQFN-24
TPS51116
PWPR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116PWPR 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 3A输出, HTSSOP-20 新
TPS51116
PWP
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TPS51116
PWPRG4
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完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
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TEXAS INSTRUMENTS TPS51116PWPG4 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, HTSSOP-20
TPS51116
RGETG4
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TI(德州仪器)
完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
TPS51116
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