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TPS51116RGETG4
2.047
TPS51116RGETG4 数据手册 (45 页)
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TPS51116RGETG4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
24 Pin
封装
VQFN-24
输出接口数
1 Output
输出电压
1.5V ~ 3V
输出电流
10 A
功耗
2200 mW
静态电流
800 µA
调节输出数
1 Output
过温保护
Yes
拓扑结构
Buck
输入电压(Max)
28 V
输入电压(Min)
3 V
输出电压(Max)
3 V
输出电压(Min)
1.5 V
输出电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2200 mW
输入电压
3V ~ 28V

TPS51116RGETG4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TPS51116RGETG4 数据手册

TI(德州仪器)
45 页 / 1.33 MByte

TPS51116 数据手册

TI(德州仪器)
DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO
TI(德州仪器)
DDR/DDR2/DDR3的同步降压控制器和LDO
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51116RGET  稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, VQFN-24
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51116PWPR  稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 3A输出, HTSSOP-20 新
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51116PWP  芯片, 同步降压控制器
TI(德州仪器)
完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
TI(德州仪器)
全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO 24-VQFN -40 to 85
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TPS51116PWPG4  稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, HTSSOP-20
TI(德州仪器)
完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
TI(德州仪器)
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