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TPS53317 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
描述:
用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器
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TPS53317 符合标准
TPS53317 概述
●
TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。
●
该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。
●
TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
●
采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
●
支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
●
外部跟踪
●
最少的外部组件数
●
1V 至 6V 转换电压
●
D-CAP+ 模式架构
●
支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
●
可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
●
轻量级负载与重负载下的优化效率
●
可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
●
可选过流限制 (OCL)
●
过压、过热和断续欠压保护
●
可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
●
3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装
●
## 应用
●
用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
●
VTT 终止
●
用于 1V 至 6V 输入电源轨的低电压应用
●
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