●TPS53355 是一款集成有金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的 D-CAP 模式、30A 同步开关。 它被设计用于易于使用、低外部组件数量和空间有限的电源系统。
●这个器件特有 5mΩ/2.0mΩ 集成 MOSFET，精准 1%，0.6V 基准和集成的升压开关。 具有竞争力的特性包括：1.5V 至 15V 的宽转换输入电压范围、极低的外部组件数量、用于超快速响应的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式操作、内部软启动控制、可选频率和无需补偿。
●转换输入电压范围为 1.5V 至 15V，电源电压范围为 4.5V 至 25V，输出电压范围为 0.6V 至 5.5V。
●该器件采用 5mm × 6mm、22 引脚 QFN 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 85°C。
● 最高效率达 96%
● 转换输入电压范围：1.5V 至 15V
● 漏极电源电压 (VDD) 输入电压范围：4.5V 至 25V
● 输出电压范围：0.6V 至 5.5V
● 5V 低压降 (LDO) 输出
● 支持单电源轨出入
● 带有 30A 持续输出电流的集成型功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
● 自动跳跃 Eco-mode ，用于实现轻负载效率
● < 10μA 关断电流
● 针对快速瞬态响应的 D-Cap+™ 模式
● 可通过外部电阻在 250kHz 至 1MHz 范围内选择开关频率
● 可选的自动跳跃或者只支持脉宽调制 (PWM) 运行
● 内置 1% 0.6V 基准电压。
● 0.7ms，1.4ms，2.8ms 和 5.6ms 可选内部电压伺服系统软启动
● 集成升压开关
● 预充电启动能力
● 支持可调节的过流限制和温度补偿
● 过压、欠压、欠压锁定 (UVLO) 和过热保护
● 支持所有陶瓷输出电容器
● 开漏电源良好指示
● 组装有 NexFET 电源块技术
● 22 引脚四方扁平无引脚 (QFN) 封装，采用 PowerPAD
●## 应用范围
● 服务器和存储
● 工作站和台式机
● 电信基础设施
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