Web Analytics
Datasheet 搜索 > 放大器、缓冲器 > ST Microelectronics(意法半导体) > TS271BIDT Datasheet 文档
TS271BIDT
器件3D模型
1.061
TS271BIDT 数据手册 (17 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TS271BIDT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
10 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
60 dB
转换速率
40.0 mV/μs
增益频宽积
100 kHz
输入补偿电压
250 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压(Max)
16 V
电源电压(Min)
3 V

TS271BIDT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TS271BIDT 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.56 MByte

TS271 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS PROGRAMMABLE LOW POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER
ST Microelectronics(意法半导体)
TS271 系列 16 V 100 kHz CMOS 可编程 低功耗 单通道 运算放大器 - SOIC-8
ST Microelectronics(意法半导体)
TS271系列 SOP8 CMOS 可编程 低功耗 单通道 运算放大器
ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier
ST Microelectronics(意法半导体)
TS271 系列 16 V 100 kHz CMOS 可编程 低功耗 单 运算放大器 - DIP-8
ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier
ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier
ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier
ST Microelectronics(意法半导体)
运算放大器 - 运放 Single Lo-Power Prog
ST Microelectronics(意法半导体)
CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: TS271 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z