Web Analytics
Datasheet 搜索 > 放大器、缓冲器 > TI(德州仪器) > TS321IDR Datasheet 文档
TS321IDR
器件3D模型
0.685
TS321IDR 数据手册 (21 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TS321IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
600 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
0.00 V/K
带宽
800 kHz
转换速率
400 mV/μs
增益频宽积
800 kHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
20 nA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
0.8 MHz
共模抑制比(Min)
65 dB

TS321IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TS321IDR 数据手册

TI(德州仪器)
21 页 / 1.19 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.15 MByte

TS321 数据手册

TI(德州仪器)
低功耗单路运算放大器
ST Microelectronics(意法半导体)
低功耗单路运算放大器 Low power single operational amplifier
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TS321ILT  运算放大器, 单路, 800 kHz, 1个放大器, 0.4 V/µs, 3V 至 30V, ± 1.5V 至 ± 15V, SOT-23, 5 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TS321AILT  运算放大器, 单路, 800 kHz, 1个放大器, 0.4 V/µs, 3V 至 30V, SOT-23, 5 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TS321IDBVR  运算放大器, 单路, 800 kHz, 1个放大器, 0.4 V/µs, 3V 至 30V, SOT-23, 5 引脚
TI(德州仪器)
低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER
TI(德州仪器)
Texas Instruments
ST Microelectronics(意法半导体)
低功耗单路运算放大器 Low Power Single Operational Amplifier
TI(德州仪器)
低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER
TI(德州仪器)
低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z