TS3DDR3812 数据手册 - TI（德州仪器）

●TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。

●通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。

●这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

● 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容

● 1.675GHz 的宽带宽

● 低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）

● 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）

● 低而平坦的导通电阻

●（典型值 rON = 8Ω）

● 低输入／输出电容

●（典型值 CON = 5.6pF）

● 低串扰（XTALK = -43dB，

●这是在 250MHz 时的典型值）

● 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围

● 数据 I/O 端口上的轨至轨开关

●（0 至 VCC）

● 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑

● 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式

● I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏

● 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准

● 2000V 人体模型

●（A114B，II 类）

● 1000V 充电器件模型 (C101)

● 42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）

●## 应用范围

● DDR3 信号开关

● DIMM 模块

● 笔记本／台式机

● 服务器