器件3D模型

￥ 0.806

TSX712IDT 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

TSX711、TSX712、精密、轨对轨输入/输出、16 V CMOS 运算放大器低输入偏置电压：最大 200 μV 低电流消耗：最大 800 μA 益带宽产品：2.7 MHz 电源操作范围 2.7 V 至 16 V ESD 高容差：4 kV (HBM) 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C 汽车资格 ### 运算放大器，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TSX712IDT 数据手册 (30 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在24 页 25 页 26 页 27 页

典型应用电路图在21 页

TSX712IDT 数据手册 (30 页)

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TSX712IDT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

68mA @16V

供电电流

900 µA

电路数

2 Circuit

针脚数

8 Position

共模抑制比

94 dB

带宽

2.7 MHz

转换速率

1.40 V/μs

增益频宽积

2.7 MHz

输入补偿电压

200 µV

输入偏置电流

50 pA

输入电压(Max)

16 V

输入电压(Min)

2.7 V

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

共模抑制比(Min)

94 dB

电源电压

2.7V ~ 16V

输入电压

2.7V ~ 16V

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TSX712IDT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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TSX712IDT 符合标准

TSX712IDT 海关信息

TSX712IDT 概述