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TTC5200(Q)
1.006
TTC5200(Q) 数据手册 (6 页)
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TTC5200(Q) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-3
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
80 @1A, 5V
最大电流放大倍数
160
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 W

TTC5200(Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
20.5 mm
宽度
5.2 mm
高度
26 mm
工作温度
150℃ (TJ)

TTC5200(Q) 数据手册

Toshiba(东芝)
6 页 / 0.18 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.18 MByte
Toshiba(东芝)
8 页 / 0.4 MByte

TTC5200 数据手册

Toshiba(东芝)
TOSHIBA  TTC5200  单晶体管 双极, NPN, 230 V, 30 MHz, 150 W, 15 A, 160 hFE
Toshiba(东芝)
NPN 功率晶体管,Toshiba### 双极晶体管,Toshiba
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