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器件3D模型
¥ 2.839
UCC27210DDA 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS UCC27210DDA 高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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UCC27210DDA 数据手册 (39 页)
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UCC27210DDA 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
8.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7.2ns, 5.5ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
上升时间
600 ns
下降时间
400 ns
下降时间(Max)
400 ns
上升时间(Max)
600 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
8V ~ 17V
电源电压(Max)
17 V
电源电压(Min)
8 V
查看数据手册 >
UCC27210DDA 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-40℃ ~ 140℃ (TJ)
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UCC27210DDA 符合标准
UCC27210DDA 海关信息
UCC27210DDA 概述
●
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments
●
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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UCC27210DDA 数据手册
UCC27210DDA
数据手册
TI(德州仪器)
39 页 / 1.53 MByte
UCC27210DDA
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
3 页 / 0.18 MByte
UCC27210DDA
产品修订记录
TI(德州仪器)
4 页 / 0.17 MByte
UCC27210 数据手册
UCC27210
数据手册
TI(德州仪器)
120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
UCC27210
D
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27210D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
UCC27210
DDA
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27210DDA 高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
UCC27210
DDAR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
UCC27210
DRMT
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
UCC27210
DPRT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27210DPRT 芯片, 驱动器, 高/低压侧, 4A, 10WSON
UCC27210
DR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
UCC27210
DRMR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver
UCC27210
DPRR
数据手册
TI(德州仪器)
120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver
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