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UCC27325D
器件3D模型
0.572
UCC27325D 数据手册 (28 页)
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UCC27325D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
功耗
1.14 W
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1140 mW
电源电压
4.5V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V

UCC27325D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

UCC27325D 数据手册

TI(德州仪器)
28 页 / 1.11 MByte

UCC27325 数据手册

TI(德州仪器)
双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
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