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器件3D模型
¥ 1.198
UCC27424QDRQ1 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27424QDRQ1 数据手册 (34 页)
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UCC27424QDRQ1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
功耗
650 mW
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
650 mW
电源电压
4V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V
查看数据手册 >
UCC27424QDRQ1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
UCC27424QDRQ1 符合标准
UCC27424QDRQ1 海关信息
UCC27424QDRQ1 数据手册
UCC27424QDRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
34 页 / 1.67 MByte
UCC27424QDRQ1
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TI(德州仪器)
双路 4A MOSFET 驱动器
UCC27424
DR
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TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27424
D
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27424D 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
UCC27424
DGN
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27424DGN 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, HTSSOP-8
UCC27424
DGNR
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
UCC27424
P
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27424P 双路芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8
UCC27424
QDRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
UCC27424
MDGNREP
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TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC27424
QDGNRQ1
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TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
UCC27424
DRG4
数据手册
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
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