Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > TI(德州仪器) > UCC27425PE4 Datasheet 文档
UCC27425PE4
器件3D模型
0.516
UCC27425PE4 数据手册 (30 页)
查看文档
或点击图片查看大图

UCC27425PE4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
PDIP-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
功耗
350 mW
上升时间
20 ns
下降时间
15 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
350 mW
电源电压
4V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V

UCC27425PE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UCC27425PE4 数据手册

TI(德州仪器)
30 页 / 1.42 MByte
TI(德州仪器)
34 页 / 1.81 MByte

UCC27425 数据手册

TI(德州仪器)
具有使能端的双路 4A MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27425D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, SOIC-8
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
用启用双4 -A高速低侧MOSFET驱动器 DUAL 4-A HIGH-SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
TI(德州仪器)
双4 -A高速低侧MOSFET驱动器与启用 Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: UCC27425 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z