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器件3D模型
¥ 0.373
UCC27524DSDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
WDFN-8
描述:
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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UCC27524DSDR 数据手册 (43 页)
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UCC27524DSDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
WDFN-8
上升/下降时间
7ns, 6ns
输出接口数
2 Output
上升时间
18 ns
下降时间
10 ns
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
18 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 18V
查看数据手册 >
UCC27524DSDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
工作温度
-40℃ ~ 140℃ (TJ)
查看数据手册 >
UCC27524DSDR 符合标准
UCC27524DSDR 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SON(3x3)
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UCC27524DSDR
数据手册
TI(德州仪器)
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UCC27524
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TI(德州仪器)
双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
UCC27524
DR
数据手册
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
UCC27524
DGNR
数据手册
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
UCC27524
D
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524D 门驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
UCC27524
DGN
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524DGN 驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, MSOP-8
UCC27524
P
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524P 驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 6ns延迟, DIP-8
UCC27524
DSDR
数据手册
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
UCC27524
AD
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524AD 芯片, IGBT/MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, SOIC-8
UCC27524
ADR
数据手册
TI(德州仪器)
门驱动器 Dual Hi-Spd Low-Side Pwr MOSFET Dvr 5A
UCC27524
ADGN
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524ADGN 芯片, IGBT/MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, MSOP-8
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