Web Analytics
Datasheet 搜索 > 电源管理 > TI(德州仪器) > UCC27525DR Datasheet 文档
UCC27525DR
器件3D模型
0.715
UCC27525DR 数据手册 (43 页)
查看文档
或点击图片查看大图

UCC27525DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7ns, 6ns
输出接口数
2 Output
上升时间
18 ns
下降时间
10 ns
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
18 ns
工作温度(Max)
140 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
4.5 V

UCC27525DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 140℃

UCC27525DR 数据手册

TI(德州仪器)
43 页 / 2.02 MByte

UCC27525 数据手册

TI(德州仪器)
双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27525D  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
TI(德州仪器)
5A高速低侧电源MOSFET驱动器
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC27525DGN  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, MSOP-8
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
TI(德州仪器)
双5 -A高速低侧栅极驱动器 Dual 5-A High-Speed Low-Side Gate Driver
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z