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器件3D模型
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UCC27611 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
描述:
用于增强模式 GaN FET 的 4A/8A 单通道高速低侧栅极驱动器
Pictures:
3D模型
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焊盘图
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UCC27611 数据手册 (29 页)
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UCC27611 符合标准
UCC27611 概述
●
UCC27611 是一款针对5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器,它专门用来对增强模式GaN FET 进行寻址。驱动电压VREF 被内部线性稳压器精确稳压至5V。UCC27611 提供4A 拉电流和6A 灌电 流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置,可根据FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄 生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外,具有最小容差和变化的短传播延迟可实 现高频时的有效运行。1Ω 和0.35Ω 电阻提升了针对高转换率dV 和dt 所致硬开关的抗扰度。
●
不受VDD 输入信号阈值的影响确保了TTL 和CMOS低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑,当输入引脚处 于悬空状态时,内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能, 可在VERF 电源电压处于工作范围内之前,将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接 地焊盘的小型2.00mm × 2.00mm SON-6 封装(DRV),提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行 在40°C 至140°C 的宽温度范围内。
●
增强模式氮化镓场效应晶体管(FET) (eGANFET)
●
4V 至18V 单一电源电压VDD 范围
●
驱动电压VREF 被稳压至5V
●
4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流驱动
●
1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻(最大限度提升针对
●
高转换率dV 和dt 的抗扰度)
●
分离输出配置(可实现针对各个FET 的导通和关断
●
优化)
●
短暂传播延迟(典型值为14ns)
●
快速上升和下降时间(典型值分别为9ns 和5ns)
●
TTL 和CMOS 兼容输入(不受电源电压影响,可
●
轻松连接至数字和模拟控制器)
●
双输入设计实现了灵活驱动(反相配置和同相配置
●
均受支持)
●
当输入悬空时输出保持在低电平
●
VDD 欠压锁定(UVLO)
●
采用与eGANFET 兼容的优化引脚分布,方便进行
●
布局布线
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具有外露散热焊盘和接地焊盘的2.00mm ×
●
2.00mm 小外形尺寸无引线(SON)-6 封装(最大限
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度降低寄生电感以减少栅极振铃)
●
工作温度范围:40°C 至140°C
●
## 应用
●
开关模式电源
●
直流- 直流转换器
●
同步整流
●
太阳能逆变器、电机控制、不间断电源(UPS)
●
包迹跟踪电源包迹跟踪电源
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UCC27611 数据手册
UCC27611
数据手册
TI(德州仪器)
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