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器件3D模型
¥ 1.509
UCC37322DR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-8
描述:
单9 ,高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW- SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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UCC37322DR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20 ns
输出接口数
1 Output
功耗
0.65 W
上升时间
70 ns
下降时间
30 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
650 mW
电源电压
4V ~ 15V
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UCC37322DR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
UCC37322DR 符合标准
UCC37322DR 概述
●
低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
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UCC37322DR
数据手册
TI(德州仪器)
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UCC37322
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启用型单 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器
UCC37322
P
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC37322P 芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8
UCC37322
D
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC37322D 芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8
UCC37322
DGN
数据手册
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
UCC37322
DR
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TI(德州仪器)
单9 ,高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW- SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC37322
DGNR
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TI(德州仪器)
单9 ,高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW- SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC37322
DRG4
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单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC37322
DGNRG4
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单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC37322
DGNG4
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TI(德州仪器)
单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
UCC37322
PE4
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单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
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