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UCC37324DR
器件3D模型
0.394
UCC37324DR 数据手册 (34 页)
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UCC37324DR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
功耗
1140 mW
上升时间
40 ns
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
1140 mW
电源电压
4.5V ~ 15V

UCC37324DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

UCC37324DR 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.26 MByte
TI(德州仪器)
53 页 / 1.44 MByte

UCC37324 数据手册

TI(德州仪器)
双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC37324P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  UCC37324D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
TI(德州仪器)
双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
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