UESD3.3DT5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

●极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3.3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 5.0V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.24W/240mW Description & Applications| Features: • ESD Protection Diodes In Ultra Small SOT−723 Package • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″ (1.20 mm x 0.80 mm) • Low Body Height: 0.020″ (0.5 mm) • Stand−off Voltage: 3.3 V − 6.0 V • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • These are Pb−Free Devices 描述与应用| 特点： •超小型SOT-723封装的ESD保护二极管 •小体外形尺寸：0.047“×0.032”（1.20毫米x0.80毫米） •低身高：0.020“（0.5毫米） •待机电压：3.3 V - 6.0 V •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类（16千伏） •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •这些都是Pb-Free设备