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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > TI(德州仪器) > ULN2003AD Datasheet 文档
ULN2003AD
器件3D模型
0.122
ULN2003AD 数据手册 (34 页)
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ULN2003AD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
输出接口数
7 Output
输出电流
500 mA
针脚数
16 Position
极性
NPN
功耗
25 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
输出电流(Max)
500 mA
直流电流增益(hFE)
600
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃

ULN2003AD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-20℃ ~ 70℃ (TA)

ULN2003AD 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.29 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.39 MByte
TI(德州仪器)
6 页 / 0.41 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.13 MByte

ULN2003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC(友顺)
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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