ULQ2003ADR 数据手册 - TI（德州仪器）

七达林顿阵列 Seven Darlington array

达林顿晶体管阵列 DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ADR  达林顿晶体管阵列, NPN, 7, 50V

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AQDRQ1  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

STMICROELECTRONICS  ULQ2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003AD  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

TEXAS INSTRUMENTS  ULQ2003ATDRQ1  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

STMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器