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UMG3N-TP
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UMG3N-TP 数据手册 (1 页)
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UMG3N-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-353
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
100 @100mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW

UMG3N-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

UMG3N-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.61 MByte

UMG3 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMG3 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 100~600 150mW/0.15W SOT-353/UMT5/SC-88A/SC70-5 标记G3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.
Micro Commercial Components(美微科)
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