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UMH11N
0.02
UMH11N 数据手册 (8 页)
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UMH11N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-363
极性
NPN+NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A

UMH11N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
3000

UMH11N 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 0.65 MByte

UMH11 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMH11 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
Micro Commercial Components(美微科)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  UMH11NFHATN  双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SC-88
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
UMH11N NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
CJ(长电科技)
双数字晶体管 UMH11N H11 SOT-363
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