器件3D模型

￥ 0.138

UMH11NTN 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-6

描述:

NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

或点击图片查看大图

UMH11NTN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

50.0 mA

封装

SC-70-6

额定功率

0.15 W

极性

NPN

功耗

150 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

30 @5mA, 5V

额定功率(Max)

150 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

增益带宽

250 MHz

耗散功率(Max)

150 mW

查看数据手册 >

UMH11NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

UMH11NTN 符合标准

UMH11NTN 海关信息

UMH11NTN 概述

UMH11NTN 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.63 MByte

UMH11NTN 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 1.44 MByte

UMH11NTN 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.12 MByte

UMH11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

UMH11 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路逆变器接口电路驱动电路

UMH11NTN 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

UMH11N-TP 数据手册

Micro Commercial Components（美微科）

UMH11NFHATN 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM UMH11NFHATN 双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SC-88

UMH11N 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

UMH11N NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 50mA R1=R2=10KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H11 开关电路逆变器接口电路驱动电路

UMH11N 数据手册

CJ（长电科技）

双数字晶体管 UMH11N H11 SOT-363

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号