UMX18 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 500mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 320MHz Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 270~680 Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 90mV Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 150mW Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| Features • General purpose transistors(dual transistors) • Two 2SC5585 chips in a EMT or UMT package. • Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. • Transistor elements are independent, eliminating interference. • Mounting cost and area can be cut in half Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 特点 •通用晶体管（双晶体管） •两个2SC5585一个EMT或UMT包的芯片。 •安装EMT3或UMT3自动的安装机器可能。 •晶体管元素是独立的，消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| Description & Applications| 描述与应用|