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US6K1TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TUMT-6

描述:

N-沟道 30 V 340 mΩ 1 W 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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US6K1TR 数据手册 (4 页)

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US6K1TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

1.50 A

封装

TUMT-6

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.50 A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

80pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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US6K1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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US6K1TR 符合标准

US6K1TR 概述

US6K1TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.12 MByte

US6K1TR 其他数据使用手册

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5 页 / 0.26 MByte

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