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US6M2TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SMD-6

描述:

ROHM US6M2TR 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 30 V, 240 mohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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US6M2TR 数据手册 (4 页)

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US6M2TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

1.50 A

封装

SMD-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.24 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30V, 20V

连续漏极电流(Ids)

1.50 A, 1.00 A

输入电容值(Ciss)

80pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

查看数据手册 >

US6M2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

1.7 mm

高度

0.82 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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US6M2TR 符合标准

US6M2TR 概述

US6M2TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.05 MByte

US6M2TR 产品设计参考手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

46 页 / 0.51 MByte

US6M2TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.28 MByte

US6M2TR 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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US6M2TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM US6M2TR 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 30 V, 240 mohm, 4.5 V, 1.5 V

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